N溝道m(xù)os管工作原理及n溝道m(xù)os管用途!
字號:T|T
項(xiàng)目中最常用的為增強(qiáng)型mos管,可分為N溝道和P溝道兩種,n溝道MOS管由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成,該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道,由于N溝道m(xù)os管其導(dǎo)通電阻小,且容易制造所以項(xiàng)目中大部分用到的是NMOS。

N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理
(1)VGS對ID及溝道的控制作用
① VGS=0 的情況
增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓VGS=0時(shí),即使加上漏——源電壓VDS,而且不論VDS的極性如何,總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài),漏——源極間沒有導(dǎo)電溝道,所以這時(shí)漏極電流ID≈0。
② VGS>0 的情況
若VGS>0,則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)電場。電場方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場。這個(gè)電場能排斥空穴而吸引電子。
排斥空穴:使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥,剩下不能移動(dòng)的受主離子(負(fù)離子),形成耗盡層。吸引電子:將 P型襯底中的電子(少子)被吸引到襯底表面。
(2)導(dǎo)電溝道的形成
當(dāng)VGS數(shù)值較小,吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí),漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn),如圖1(b)所示。VGS增加時(shí),吸引到P襯底表面層的電子就增多,當(dāng)VGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí),這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層,且與兩個(gè)N+區(qū)相連通,在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道,其導(dǎo)電類型與P襯底相反,故又稱為反型層。VGS越大,作用于半導(dǎo)體表面的電場就越強(qiáng),吸引到P襯底表面的電子就越多,導(dǎo)電溝道越厚,溝道電阻越小。
開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓,用VT表示。
N溝道MOS管在VGS<VT時(shí),不能形成導(dǎo)電溝道,管子處于截止?fàn)顟B(tài)。只有當(dāng)VGS≥VT時(shí),才有溝道形成。這種必須在VGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。溝道形成以后,在漏——源極間加上正向電壓VDS,就有漏極電流產(chǎn)生。
(3)VDS對ID的影響
當(dāng)VGS>VT且為一確定值時(shí),漏——源電壓VDS對導(dǎo)電溝道及電流ID的影響與結(jié)型場效應(yīng)管相似。
漏極電流ID沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等,靠近源極一端的電壓最大,這里溝道最厚,而漏極一端電壓最小,其值為VGD=VGS-VDS,因而這里溝道最薄。但當(dāng)VDS較小(VDS<VGS–VT)時(shí),它對溝道的影響不大,這時(shí)只要VGS一定,溝道電阻幾乎也是一定的,所以ID隨VDS近似呈線性變化。
隨著VDS的增大,靠近漏極的溝道越來越薄,當(dāng)VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VT(或VDS=VGS-VT)時(shí),溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷。再繼續(xù)增大VDS,夾斷點(diǎn)將向源極方向移動(dòng)。由于VDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),故ID幾乎不隨VDS增大而增加,管子進(jìn)入飽和區(qū),ID幾乎僅由VGS決定。
N溝道m(xù)os管是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
n溝道m(xù)os管最顯著的特性是開關(guān)特性好,所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中,常見的如工業(yè)領(lǐng)域:步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電鉆工具、工業(yè)開關(guān)電源;新能源領(lǐng)域:光伏逆變、充電樁、無人機(jī);交通運(yùn)輸領(lǐng)域:車載逆變器、汽車HID安定器、電動(dòng)自行車;綠色照明領(lǐng)域:CCFL節(jié)能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮(zhèn)流器等,更多N溝道m(xù)os管相關(guān)選型及手冊請向驪微電子申請。>>
同類文章排行
- ap8022代換viper22a可兼容,不改PCB及外圍
- 電源芯片sdh8302s可PIN腳代換VIPER12A/AP80
- 什么是MOS管的雪崩及mos管雪崩擊穿原理!
- 常用dc-dc降壓芯片推薦
- 國產(chǎn)電源管理芯片有哪些?
- IR4427替換芯片ID1127雙低側(cè)、大電流驅(qū)動(dòng),
- sdh8303代換viper22a/AP8012H,PIN腳兼容無
- PN555L內(nèi)置690V小功率非隔離芯片可替PN8008
- 常用低壓mos管型號及選型!
- 開關(guān)電源原邊反饋(PSR)技術(shù)深度解析!
最新文章資訊
- 過認(rèn)證、低成本 | 65W-PD-2C1A氮化鎵設(shè)計(jì)方
- 開業(yè)大吉 | 深圳市驪微電子-寧波分公司!
- 喜賀芯朋微祝靖博士榮獲“江蘇青年五四獎(jiǎng)?wù)?/a>
- CR6212_5V/12V高效率、低成本電源方案,完
- 2024年展翅飛翔 | 2023年度業(yè)務(wù)總結(jié)交流大
- 真茂佳助力電動(dòng)汽車聯(lián)盟汽車電子元器件工作
- 銓力AP30H80Q vbus開關(guān)MOS獲得安克67W 2C1A
- 士蘭微650V高壓超結(jié)STS系列,廣泛應(yīng)用于消
- 芯朋PN8213獲品勝65W氮化鎵充電器采用,可
- 驪微電子參加生命應(yīng)急“救”在身邊,急救技
阿里巴巴店鋪
關(guān)注驪微
收藏驪微

